Η
Samsung Electronics,
παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια
3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM
, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες μετά την μαζική παραγωγή της 2ης γενιάς, της τάξεως 10nm (1y-nm) 8G DDR4, η ανάπτυξη της 1z-nm 8Gb DDR4, χωρίς τη χρήση
Extreme Ultra-Violet (EUV)
διεργασίας, ανεβάζει τον πήχη στην κλιμάκωση της DRAM ακόμα περισσότερο.
Καθώς η 1z-nm αποτελεί τον μικρότερο κόμβο διεργασίας μνήμης στη βιομηχανία, η Samsung ανταποκρίνεται στις αυξανόμενες απαιτήσεις της αγοράς με τη νέα της DDR4 DRAM, που διαθέτει αυξημένη δυνατότητα παραγωγής κατά 20% σε σύγκριση με την προηγούμενη 1y-nm.
Η μαζική παραγωγή της 1z-nm 8Gb DDR4 θα ξεκινήσει το δεύτερο εξάμηνο του 2019 για να εξυπηρετήσει επαγγελματικούς servers επόμενης γενιάς και Η/Υ υψηλών προδιαγραφών που αναμένεται να κυκλοφορήσουν το 2020.
Η παραγωγή 1z-nm DRAM της Samsung θέτει τις βάσεις για την επιτάχυνση της τεχνολογικής μετάβασης σε επιφάνειες διεπαφής με DRAM επόμενης γενιάς, όπως οι DDR5, LPDDR5 και GDDR6, που θα ενισχύσουν την ψηφιακή καινοτομία του μέλλοντος. Τα μεταγενέστερα προϊόντα 1z-nm με υψηλότερη απόδοση θα επιτρέψουν στη Samsung να ενδυναμώσει την επιχειρηματική της ανταγωνιστικότητα και να παγιώσει την ηγεσία της στην premium αγορά DRAM για εφαρμογές, μεταξύ των οποίων servers, γραφικά και κινητές συσκευές.
Σε συνέχεια πλήρους επικύρωσης από κατασκευαστή CPU για μονάδες DDR4 οκτώ gigabyte (Gb), η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει την κύρια μονάδα παραγωγής μνήμης στην Κορέα, για να ικανοποιήσει τις τρέχουσες ανάγκες της βιομηχανίας. Παράλληλα, συνεργάζεται με πελάτες πληροφορικής διεθνώς για να ανταποκριθεί με λύσεις στην αυξανόμενη ζήτηση προϊόντων DRAM.