Η Samsung Electronics, παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.1 της βιομηχανίας, για χρήση σε smartphones ναυαρχίδες. Το νέο eUFS 3.1 της Samsung ξεπερνά το όριο απόδοσης 1GB/s εγγραφής, καθώς αποδίδει τριπλάσια ταχύτητα εγγραφής σε σύγκριση με την προγενέστερη μνήμη κινητής 512GB eUFS 3.0.
«Με την ταχύτερη μνήμη κινητών συσκευών, πλέον οι χρήστες smartphones δε θα χρειάζεται να ανησυχούν για όλα όσα αντιμετωπίζουν αυτή τη σιγμή με τη χρήση συμβατικών καρτών αποθήκευσης», δήλωσε ο Cheol Choi, Executive Vice President του Memory Sales & Marketing στη Samsung Electronics. «Με το νέο eUFS 3.1 παραμένουμε πιστοί στη δέσμευσή μας για υποστήριξη της φετινής και ραγδαία αυξανόμενης ζήτησης των κατασκευαστών smartphones, διεθνώς».
Με διαδοχική ταχύτητα εγγραφής μεγαλύτερη των 1.200MB/s, η 512GB eUFS 3.1 της Samsung διαθέτει υπερδιπλάσια ταχύτητα από έναν υπολογιστή με SATA (540MB/s) και δεκαπλάσια ταχύτητα από μια κάρτα UHS-I microSD (90MB/s). Έτσι, οι χρήστες μπορούν να απολαύσουν την ταχύτητα ενός εξαιρετικού notebook, κατά την αποθήκευση τεράστιων αρχείων, όπως τα 8Κ βίντεο ή εκατοντάδες φωτογραφίες μεγάλου μεγέθους, στα smartphones τους, χωρίς buffering. Η μεταφορά περιεχομένων από ένα παλιό smartphone σε μια νέα συσκευή θα ολοκληρωθεί σε πολύ λιγότερο χρόνο. Τα smartphones με eUFS 3.1 θα χρειάζονται περίπου 1.5 λεπτό για να μεταφέρουν δεδομένα μεγέθους 100GB, ενώ αυτά με UFS 3.0 χρειάζονται περισσότερο από τέσσερα λεπτά.
Όσον αφορά στην τυχαία απόδοση, η 512GB eUFS 3.1 επεξεργάζεται μέχρι και 60% ταχύτερα από την ευρέως χρησιμοποιούμενη έκδοση UFS 3.0, προσφέροντας 100.000 διεργασίες εισόδου/εξόδου ανά δευτερόλεπτο (IOPS) για ανάγνωση και 70.000 IOPS για εγγραφή.
Επιπλέον της επιλογής 512GB, η Samsung θα διαθέσει και επιλογές χωρητικότητας 256GB και 128GB για τις πιο δημοφιλείς σειρές smartphones της που θα κυκλοφορήσουν αργότερα μέσα στο έτος.
Η Samsung ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή της V-NAND πέμπτης γενιάς στη νέα της γραμμή παραγωγής (Χ2) στην Κίνα αυτόν το μήνα για να ανταποκριθεί πλήρως στη ζήτηση της αγοράς των premium smartphones. Η εταιρεία σχεδιάζει να αναβαθμίσει σύντομα τη μαζική παραγωγή V-NAND στην γραμμή παραγωγής της (Ρ1) στην Κορέα, από πέμπτη γενιάς V-NAND σε έκτης γενιάς, για να αντιμετωπίσει αποτελεσματικά την αυξανόμενη ζήτηση.
Η σειρά από μνήμες αποθήκευσης της Samsung
|
Προϊόν |
Διαδοχική Ανάγνωση |
Διαδοχική |
Τυχαία |
Τυχαία |
|
512GB eUFS 3.1 (Μάρτιος 2020) |
2100MB/s |
1200MB/s (3X ενίσχυση) |
100,000 IOPS (1.6X ενίσχυση) |
70,000 IOPS (1.03X ενίσχυση) |
|
512GB eUFS 3.0 (Φεβ. 2019) |
2100MB/s |
410MB/s |
63,000 IOPS |
68,000 IOPS |
|
1TB eUFS 2.1 (Ιαν. 2019) |
1000MB/s |
260MB/s |
58,000 IOPS |
50,000 IOPS |
|
512GB eUFS 2.1 (Νοέμ. 2017) |
860MB/s |
255MB/s |
42,000 IOPS |
40,000 IOPS |
|
Automotive UFS 2.1 (Σεπτ. 2017) |
850MB/s |
150MB/s |
45,000 IOPS |
32,000 IOPS |
|
256GB UFS Card (Ιούλ. 2016) |
530MB/s |
170MB/s |
40,000 IOPS |
35,000 IOPS |
|
256GB eUFS 2.0 (Φεβ. 2016) |
850MB/s |
260MB/s |
45,000 IOPS |
40,000 IOPS |
|
128GB eUFS 2.0 (Ιαν. 2015) |
350MB/s |
150MB/s |
19,000 IOPS |
14,000 IOPS |
|
eMMC 5.1 |
250MB/s |
125MB/s |
11,000 IOPS |
13,000 IOPS |
|
eMMC 5.0 |
250MB/s |
90MB/s |
7,000 IOPS |
13,000 IOPS |
|
eMMC 4.5 |
140MB/s |
50MB/s |
7,000 IOPS |
2,000 IOPS |